flash读写模式配置不当导致睡眠电流变大，是什么原因？

TL_SUNWEI

低功耗测试发现：flash 配置为读模式后，给 flash 发睡眠命令时 flash 没有进入睡眠，睡眠电流变大（deep 电流从 0.4uA 变成 10.1uA），是什么原因？

回答：

对于 flash 的读写，有明确的模式要求：

1、读操作需要配置为读模式，写操作需要配置为写模式。如果配置为读模式进行写操作，会导致写不成功（程序不会卡死，只是写不成功）。

2、读模式下给 flash 发睡眠命令，flash 不会进入睡眠，因此睡眠电流会明显变大。

3、上电默认值是写模式，此时 flash 可进行单线读写；配置为写模式后，不能进行双线和四线的读操作。

历史演进（供排查参考）：
- 早期代码：上电默认写模式，flash 可单线读写，读写过程不会配置为读模式，所以进入睡眠前的 flash 睡眠命令可以正常发送成功；
- 中间版本：新增双线/四线读接口，读接口中会把 flash 配置为读模式，此时再进睡眠，可能无法让 flash 正常进入睡眠，导致睡眠电流偏大；
- 新版本：发送 flash 睡眠命令前会重新配置回写模式。

如果遇到睡眠电流偏大，请确认使用的 flash driver 版本以及睡眠前是否正确配置了 flash 模式。